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RUILIN SEMI stellt neuen 800V 1200A SiC-Leistungsmodul mit PHD-Gehäuse für NEV & Energiespeicher vor
Angetrieben durch das explosionsartige Wachstum von Elektrofahrzeugen, netzgebundenen Energiespeichern und Hochleistungs-Industrieantrieben durchläuft die Halbleiterindustrie einen massiven Wandel von konventionellen Silizium-IGBTs zu Siliziumkarbid (SiC)-Lösungen. Der inländische Halbleiterhersteller RUILIN SEMI hat offiziell seinen brandneuen 800V 1200A SiC-Leistungsmodul auf den Markt gebracht. Dieses Produkt verwendet ein fortschrittliches PHD-Gehäusedesign und bietet einen extrem niedrigen 2mΩ-Einschaltwiderstand, was eine herausragende Leistung in Szenarien mit hoher Leistungsdichte zeigt. Der Modul hat die vollständige Kundenvalidierung abgeschlossen und die Serienproduktion bei einem großen Tier-1-Gerätehersteller aufgenommen.
Im Vergleich zu herkömmlichen Silizium-Leistungsmodulen bieten SiC-Module deutliche Wettbewerbsvorteile in Bezug auf Umwandlungseffizienz, Schaltgeschwindigkeit und Systemminiaturisierung. Führende globale Halbleiterlieferanten wie Infineon, ROHM, Wolfspeed und onsemi treiben ebenfalls energisch die Kommerzialisierung von SiC-Modulen für Hochspannungs- und Hochstrom-Leistungswandleranwendungen voran.
PHD-Gehäuse: Optimiert für ultrahohe Leistungsdichte
Der neue SiC-Leistungsmodul von RUILIN SEMI nutzt eine spezielle PHD-Gehäusestruktur, die vollständig für thermische Ableitung und elektrische dynamische Leistung optimiert ist.
Kernvorteile des PHD-Gehäuses:
Minimierte parasitäre Induktivität im Leistungspfad
Verbesserte Dauerstromtragfähigkeit
Optimiertes geschichtetes Wärmeleitkanal-Layout
Ermöglicht kompakteres mechanisches Gesamtsystemdesign
Bei Hochleistungs-Wechselrichtern bestimmt die Gehäusearchitektur direkt die langfristige Systemeffizienz und Betriebszuverlässigkeit. Das PHD-Gehäuse verkürzt interne Strompfade und optimiert die Wärmeableitungsführung, sodass das SiC-Modul unter hohen Dauerstromlasten stabil und konsistent arbeiten kann.
2mΩ Ultra-Niedriger Einschaltwiderstand für bemerkenswerte Effizienzsteigerungen
Unter allen elektrischen Parametern von SiC-Leistungsmodulen ist der Einschaltwiderstand (Rds(on)) eine Kernkennzahl, die direkt die gesamten Systemverluste bestimmt.
RUILINs 800V 1200A SiC-Modul erreicht einen extrem niedrigen Rds(on) von 2mΩ, kombiniert mit einem automobilqualifizierten PHD-Gehäuse, und reduziert so die Durchlassverluste unter Hochstrombedingungen drastisch.
Dieser Leistungsvorteil schafft messbaren Mehrwert für die folgenden Hauptbranchen:
Haupt-Traktionswechselrichter für Elektrofahrzeuge
Bidirektionale Stromwandlungssysteme (PCS) für Energiespeicherstationen
Hochleistungs-Industrie-Frequenzumrichter-Systeme
Netzgekoppelte Photovoltaik-Wechselrichter
Bei all diesen Geräten führt jede Reduzierung der Verlustleistung zu einer höheren Gesamtenergieeffizienz und kleineren, leichteren Kühlsystemen.
Für ein detailliertes Benchmarking der SiC-Modulleistung unter Hochstrombedingungen verweisen wir auf unseren früheren technischen Bericht: RL800N1200A SiC Power Module Comparative Analysis.
Perfekt geeignet für NEV-800V-Hochspannungsplattformen und Energiespeichersysteme
Die 800V-Hochspannungsarchitektur hat sich zu einem unumkehrbaren Mainstream-Trend für neue Energie-Pkw und Nutzfahrzeuge entwickelt und treibt die schnelle Durchdringung von SiC-Leistungsmodulen in Fahrzeug-Hauptantriebswechselrichtern voran.
Hochstrom-SiC-Module bringen drei Kernverbesserungen für Elektrofahrzeug-Antriebsstränge:
Höhere Wechselrichter-Energieumwandlungseffizienz
Reduzierte Gesamtabmessungen der leistungselektronischen Baugruppen
Geringeres Gewicht für das gesamte elektrische Antriebssystem
Gleichzeitig setzen Energiespeicherkraftwerke weitgehend auf Hochleistungs-PCS-Wandler, bei denen SiC-Module helfen, die Systemleistungsdichte und die Rundlaufenergieeffizienz zu steigern.
RUILIN SEMI investiert weiterhin tief in die Hochleistungs-SiC-Modultechnologie
Mit der Reifung der heimischen SiC-Industriekette sind Hochstrom-Leistungsmodule zu einem unverzichtbaren Kernbaustein für die nächste Generation von Leistungselektronik-Hardware geworden. RUILIN SEMI wird weiterhin F&E-Investitionen auf Hochleistungs-SiC-Chipdesign, fortschrittliche Verpackungsprozesse und hocheffiziente Stromumwandlungssystemlösungen konzentrieren.
Das neu eingeführte 800V 1200A SiC-Leistungsmodul erweitert das gesamte SiC-Produktportfolio des Unternehmens und bietet OEMs, die neue Energiefahrzeuge, Netzenergiespeicher und industrielle Stromumwandlungsgeräte entwickeln, eine brandneue Hochstrom-Leistungsgeräteoption, während es Kunden unterstützt, sicherere redundante Hardware-Designschemata für Endprodukte zu implementieren.
