По сравнению с IGBT-модулями, SiC MOSFET обеспечивают более высокую скорость переключения, меньшие потери при переключении и более высокую термостойкость, что позволяет достичь более высокой эффективности системы.
По сравнению с IGBT-модулями, SiC MOSFET обеспечивают более высокую скорость переключения, меньшие потери при переключении и более высокую термостойкость, что позволяет достичь более высокой эффективности системы.