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　　1200V 800A SiC Leistungsmodul-Auswahlleitfaden für EV-Traktionswechselrichter und Energiespeicher-PCS

　　1 Einleitung

Angetrieben durch die großflächige Kommerzialisierung von 800V-Hochspannungs-EV-Plattformen, Energiespeicher-PCS und Hochleistungs-Industrie-Wechselrichtern haben sich 1200V Siliziumkarbid (SiC) Leistungsmodule zur Kernhardware hocheffizienter leistungselektronischer Systeme entwickelt.

Im Vergleich zu herkömmlichen Silizium-IGBT-Modulen besitzen SiC-MOSFET-Leistungsbauelemente deutliche Wettbewerbsvorteile:

Höhere Nenn-Durchbruchspannung

Deutlich reduzierte dynamische Schaltverluste

Unterstützung erhöhter Betriebsschaltfrequenzen

Verbesserte Gesamtsystem-Leistungsdichte

Reduziertes Volumen und Kosten von thermischen Kühlsystemen

Zu den globalen Mainstream-SiC-Modulherstellern gehören Infineon Technologies, ROHM Semiconductor, Wolfspeed und ON Semiconductor.

Als Reaktion auf die massive Kundennachfrage hat das chinesische Halbleiterunternehmen RUILIN SEMI sein eigenes 1200V 800A SiC-Leistungsmodul für Hochleistungs-Wechselrichteranlagen auf den Markt gebracht. Dieser Artikel bietet einen vollständigen Leistungsvergleich mit internationalen Mainstream-Marken.

　　2 Typische Anwendungsszenarien von 1200V SiC-Modulen

1200V SiC-Leistungsmodule werden häufig in den folgenden Stromumwandlungsgeräten eingesetzt:

EV-Traktionswechselrichter: 800V-Hochspannungsfahrzeugplattformen decken Leistungsklassen von 150 kW bis 500 kW ab

Energiespeicher-PCS: Standard-Einheitsleistungen: 250 kW, 500 kW, 1 MW

Industrielle Frequenzumrichter für Motorenantriebe: Leistungsbereich: 100 kW ~ 800 kW

PV- und Windkraft-Netzwechselrichter erreichen Systemumwandlungswirkungsgrad über 98%

　　3 Kernparameter zur Geräteauswahlbewertung

　　4 Marktvergleich der gängigen 1200V-SiC-Module

Es ist deutlich erkennbar, dass 800A-Hochstrom-SiC-Leistungsmodule nach wie vor eine seltene Produktkategorie darstellen, die auf hochwertige Hochleistungssystemplattformen abzielt.

　　5 Produktprofil des RUILIN SEMI RL800N1200A 1200V SiC-Moduls

　Die SiC-Leistungsmodule RL800N1200A von RUILIN zeichnen sich durch folgende Kernstärken aus:

　Ultrahohe Dauerstromkapazität: Nennstrom von 800 A, ideal geeignet für schwere Nutzfahrzeuge, große Energiespeicher-PCS und leistungsstarke Industrie-Wechselrichter

　Überlegene Systemenergieeffizienz: Einsatz moderner SiC-MOSFET-Wafer-Technologie zur Reduzierung von Schaltverlusten und Unterstützung höherer Schaltfrequenzen, wodurch ein Gesamtwirkungsgrad des Wechselrichters von über 98 % erreicht wird

　Großer Hochtemperatur-Betriebsbereich: Maximale zulässige Sperrschichttemperatur von bis zu 175 °C, die eine hervorragende langfristige Betriebszuverlässigkeit bietet und die Kühlungsstruktur des Produkts vereinfacht

　　6 Berechnete Systemausgangsleistung

　Unter 800-V-DC-Busspannungs-Betriebsbedingungen ergibt sich die entsprechende Nennleistung des Wechselrichters für verschiedene Modulströme wie folgt:

Daher ist das 800A-Hochstrom-SiC-Modul die optimale Lösung für:

Schwere Elektro-Lkw

Wasserstoff-Brennstoffzellen-Nutzfahrzeuge

Großflächige netzgekoppelte Energiespeicher-PCS-Ausrüstung

　　7 Einführung in Modulverpackungstopologien

Zwei gängige Verpackungsformen für 1200V SiC-Leistungsmodule:

Vorteile der Halbbrückenverpackung: Flexible Wechselrichter-Topologiegestaltung, bequeme Parallelschaltung für Leistungserweiterung

Vorteile des Six-Pack-Integrierten Moduls: Hohe Integration, reduziert effektiv das Gesamtvolumen des Wechselrichtergeräts

RUILIN SEMI verwendet eine proprietäre HPD-Hochstrom-Dediziertverpackungsstruktur, maßgeschneidert für Hochleistungs-Wechselrichter-Entwicklungsprojekte.

　　8 Kernvorteile von Hochstrom-SiC-Leistungsmodulen

Hochstrom-Einzelpack-SiC-Module bringen mehrere systematische Optimierungsvorteile:

Höhere Systemleistungsdichte Reduziert die Gesamtanzahl der für eine bestimmte Leistungsklasse erforderlichen Leistungsmodule

Niedrigere Gesamt-BOM-Kosten Senkt Kosten für unterstützende Stromschienen, Kühlkörper und unabhängige Gate-Treiberschaltungen

　Vereinfachtes mechanisches Design des Wechselrichters reduziert die Gesamtabmessungen von Leistungselektronikbaugruppen erheblich

　　9 Fazit

　Vor dem Hintergrund der weit verbreiteten Durchdringung von 800V-Hochspannungs-Elektrofahrzeugen und großflächigen Energiespeichersystemen sind 1200V-SiC-Leistungsmodule zu den wichtigsten Kern-Leistungshalbleitern geworden.

　Im Vergleich zu herkömmlichen 600A-SiC-Modulen mit mittlerem Strom bietet das RL800N1200A von RUILIN SEMI eine höhere kontinuierliche Stromtragfähigkeit und eine höhere Einzel-Wechselrichter-Ausgangsleistung.

　Zielanwendungen: EV-Traktionswechselrichter, Energiespeicher-PCS-Wandler, Hochleistungs-Industriemotorantriebe

　　Vollständige technische Kernspezifikationen

　　Kernproduktvorteile

　Höhere Leistungsdichte, reduzierte Gesamtsystemkosten, vereinfachtes mechanisches und thermisches Design

　Hochstrom-SiC-Leistungsmodule werden als kritische Hardwarelösung für die nächste Generation von Hochleistungs-Leistungselektroniksystemen dienen.

　　Über Ruipu Technology

　Ruipu Technology fungiert als autorisierter Kernvertrieb von RUILIN SEMI. Wir verpflichten uns, hochwertige SiC-Leistungshalbleiterprodukte an globale Kunden zu liefern, ausgereifte, stabile Komponenten und vollständige technische Supportlösungen bereitzustellen, um einen Win-Win-Wert sowohl für Chiphersteller als auch für Endgeräteentwickler zu schaffen. Bitte kontaktieren Sie unser Vertriebsteam für eine detaillierte Produktberatung und Angebotserstellung, wenn Sie entsprechende Projektanforderungen haben.